而三星、美光、英特尔，已量产64层QLC闪存，并启动了96层产品的研发工作。
存储密度方面，双方更是天差地别。
但也没必要气馁就是了。
紫光3D NAND闪存芯片，不仅实现了“从无到有”的质变，还走出了一条全新的技术路径！
这才是关键点！
在芯片研发过程中，团队同步研发了一项重磅技术——Xtacking技术！
这一技术，彻底改变了传统3D NAND的制造逻辑，并完美绕开了欧美巨头的专利壁垒！
传统3D NAND，需将存储单元和CMOS外围控制电路，做在同一块晶圆上。
不仅容易出现，层数增高后信号延迟、散热不良等问题，相关工艺专利，还长期被三星、美光等巨头垄断。
而Xtacking技术，则创新性的采用了“分晶圆制造+精准键合”模式！
简单来说，就是先在两片独立晶圆上，分别加工存储阵列和外围电路。
再通过数十亿根纳米级金属互联通道，将两片晶圆牢固键合为整体。
这种架构，不仅绕开了欧美传统架构的专利陷阱，还带来了三大核心优势！
其一，更高的存储密度。
其节省了传统架构中，20%~30%的电路占用面积，芯片面积可减少约25%！
其二，更快的传输速度。
外围电路可选用更先进的逻辑工艺，让I/O传输速度大幅提升！
其三，研发生产更灵活。
并行制造模式，使得产品开发时间，较传统模式缩短三个月！
生产周期缩短20%！
此外，联合研发团队，还围绕该架构，衍生出了混合键合、高堆叠层数工艺等全套配套技术！
混合键合技术，是Xtacking架构稳定量产的核心配套技术。
其完美解决了超高层数堆叠时，传统同晶圆制造，难以攻克的对准精度和连接可靠性难题。
高堆叠层数工艺，则可进一步拉开与传统技术的差距，并大幅降低成本！
前世，长江存储正是凭借这一整套技术，高速技术迭代，快速追赶欧美巨头的技术水平。
从18年第四季度的32层3D NAND量产，到年底的64层3D NAND验证成功，再到23年量产232层产品，再到25年实现294层技术规模化出货。
其堆叠层数迭代速度，远超行业预期！
且294层产品，通过架构优化，实现了等效500层的存储密度！
较传统方案性能提升3倍！
此外，面对即将到来的半导体制造设备封锁，联合研发组，还围绕着Xtacking架构，同步研发了适配国产设备的生产工艺。
例如，其产线中大量采用了中微刻蚀机、北方华创薄膜沉积设备等国产设备。
并针对Xtacking技术特性，定向优化设备参数，最终实现90%良率！
虽然现阶段，单条产线国产化率，仅有38%，还远称不上摆脱对欧美高端制造设备的依赖。
但只要实现了“从0到1”的突破，之后的事儿就好办了~
蒙头莽就完了~
而就在洛川拿着紫光闪存芯片愣神之际，一名工作人员脚步匆匆赶来。
“洛总，领导已经往这边赶了。”
“好。”晃晃脑袋，洛川把芯片还给长江存储负责人。
“走了杨总，回见。”
“回见。”
望着晃晃悠悠远去的洛老板，杨世宁不由有些感叹。
这么大一老板，怎么跟个该溜子一样。。